SUMMARY OF THE PROJECT
- source:
Open Data PON REC
Ambition Power si integra nel Settore/Ambito ENERGIA E RISPARMIO ENERGETICO in quanto si focalizza sullo Sviluppo di Tecnologie, Dispositivi e Moduli di Potenza, basati su nuovi materiali composti (SiC e GaN) oltre che IGBT innovativi per applicazioni in cui l'efficiente uso dell'energia determina notevoli risparmi in termini di consumo e dissipazione dell'energia stessa. In particolare, la finalizzazione del progetto vedrà la messa a punto di blocchi di processo (tecnologie) e la realizzazione di dispositivi e moduli che convergeranno in piattaforme di prodotti Diodi, Power Mosfet, IGBT, Moduli, per applicazioni nei settori della mobilitá sostenibile, dell'automazione industriale, dell'aeronautica e della conversione di energia, generata da fonti rinnovabili. I campi di applicazione interessano potenze medio-alte con frequenze operative fino a centinaia di kHz. La realizzazione dei dimostratori include anche la messa a punto di nuove tecnologie di assemblaggio e interconnessione (packaging) dei singoli componenti in Moduli di Potenza, attraverso l'uso di materiali innovativi caratterizzati da alta conduttività termica e alta stabilità chimica, Inoltre tutto ciò permetterà di ridurre l'entitá dei componenti parassiti, le relative perdite di energia, le interferenze ad alta frequenza, le emissioni elettromagnetiche (EMI) e le superfici radianti. L'integrazione dei componenti elementari in Moduli di Potenza avverrá a Catania presso la linea di prototipazione programmata e realizzata nell'ambito del progetto. La disponibilitá della linea consentirá di condurre le attivitá di ricerca e sviluppo sperimentale, consentendo la messa a punto degli step di processo relativi all'integrazione dei Moduli e la validazione dei risultati della ricerca. I moduli integrati, la cui realizzazione rappresenta l'obiettivo finale del Progetto proposto, saranno in grado di operare fino alla tensione di 1200 V (o multipli di 1200V per architetture cascode), con correnti nel campo di 50-100 A e temperature sul dispositivo attivo fino a 250 gradi, senza pregiudicare la possibilitá di elevati valori di integrazione dei moduli. Il superamento delle tradizionali temperature dei componenti a stato solido é permesso grazie allo sviluppo di dispositivi basati su materiali composti SiC e GaN (diodi, transistori) da integrare con dispositivi basati su silicio di nuova generazione (IGBT) e all'utilizzo di nuovi materiali nelle tecniche di packaging. Anche le architetture di sistema saranno ottimizzate sfruttando, tra l'altro, convertitori di potenza modulare che può essere velocemente configurato per soddisfare sia le specifiche di tipo hardware che software nel caso delle diverse applicazioni. Tali moduli, detti PEBB, sono costituiti da altre unità base come: l'alimentatore, il filtro, il pilotaggio, i sensori, la protezione ed il controllo.
